中山发光二极管特性

理想二极管其实说到底还是二极管，理想二极管就是正向压降为0，反向漏电流为0的二极管，这种二极管只存在与理论研究中，只是一种假设，如为没有压降，没有损耗，反向不会击穿等理想状态，而实际二极管是达不到的。由于传统二极管它的PN结是有压差的，这个问题是没有办法解决的。压差越小，功率损耗也就越小，降低二极管的压差成为主要的问题，但是二极管从诞生至今都没有方法能完美的解决这个问题，所以理想二极管只能是一种设计，引导我们换一个角度思考。对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。中山发光二极管特性

二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。中山封装二极管工作原理门槛电压理想二极管没有阈值电压。一旦在二极管上施加任何正向电压，它将立即在其结之间传导电流。

二极管的作用直说就是开关，电流的开关。把电流用水流比喻的话，阳极是上流，阴极是下liu，水从上流到下liu能流下去，就是说电流能流下去，但从下liu不能流到上流。这就是二极管的整流作用。二极管的接合构造现在大有PN结合和肖特基形。前者是半导体和半导体结合，细分有扩散接合形和台地形。后者是半导体和金属之间发生的效果。结合这个语言通常不在二极管里表现。在这里为了容易理解分列在这里。现在，实现小功耗高速性的肖特基接合形被注目，我公司积极地推进SBD的系列化。

用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有其它许多叫法。通过施加反向电压，使其PN结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。

反向电流是指二极管在规定的温度和比较高反向电压作用下，经过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流只为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。硅功率开关二极管具有高速导通与截止的能力。深圳封装二极管工作原理

外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。中山发光二极管特性

两个稳压二极管反向串联的作用：1、经常在功率较大的放大电路，功率管的基极b与发射极e即发射结并联两个反向的二极管，这是通过对发射结输入电流的分流作用而起保护作用；2、两个二极管反向串联后对与之并联的电路可起过压保护作用，当电路过压时，二极管首先击穿短路；双向过压保护。这种双向tvs,双向过压保护电路一般用于电子电路，与被保护的PN结并联，保护该PN免遭反向过电压的危害；作用：过压保护，静电保护，电压钳位，阻尼作用。中山发光二极管特性

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